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Ausschreibung - Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke in München (ID:11147223)

Übersicht
DTAD-ID:
11147223
Region:
80686 München
Auftragsart:
Archiviertes Dokument
Europäische Ausschreibung
Europäische Ausschreibung
Dokumententyp:
Ausschreibung
Ausschreibung
Verfahrensart:
Verhandlungsverfahren
Kategorien:
Sonstige Maschinen, Geräte
CPV-Codes:
Diverse Maschinen und Geräte für besondere Zwecke
Vergabeordnung:
Lieferauftrag (VOL)
Vergabe in Losen:
nein
Kurzbeschreibung:
Gasquellen Molekularstrahepitaxianlage: Das Fraunhofer HHI stellt hochleistungsfähige opto-elektronische Halbleiterbauelemente auf Basis auf InP Substrat gitterangepasster Materialsysteme her....
Termine und Fristen
DTAD-Veröffentlichung:
05.09.2015
Frist Angebotsabgabe:
01.10.2015
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Beteiligte Firmen & Vergabestellen
Vergabestelle:
Fraunhofer Gesellschaft e. V.
Hansastr. 27c
80686 München
C2 – Frau Lönz
http://www.fraunhofer.de

Elektronischer Zugang zu Informationen:
http://www.deutsche-evergabe.de

Elektronische Einreichung von Angeboten und Teilnahmeanträgen:
http://www.deutsche-evergabe.de

 
Weitere Auskünfte erteilen:
Fraunhofer-Gesellschaft e. V. über Vergabeportal eVergabe
Wilhelmstraße 20-22
65185 Wiesbaden
E-Mail: fraunhofer@deutsche-evergabe.de

Angebote oder Teilnahmeanträge sind zu richten an:
Fraunhofer-Gesellschaft e. V. über Vergabeportal eVergabe
Hansastr. 27 c
80686 München
Telefon: +49 6119491060

Ausschreibungs- und ergänzende Unterlagen verschicken:
Fraunhofer-Gesellschaft e. V. über Vergabeportal eVergabe
Wilhelmstraße 20-22
65185 Wiesbaden

Öffentliche Ausschreibungen
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Gewerbliche Bauvorhaben
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Gewonnene / Vergebene Aufträge
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Geschäftsbeziehungen
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Leistungsbeschreibung
Beschreibung:
Gasquellen Molekularstrahepitaxianlage.
Gasquellen Molekularstrahepitaxianlage:
Das Fraunhofer HHI stellt hochleistungsfähige opto-elektronische Halbleiterbauelemente auf Basis auf InP Substrat gitterangepasster Materialsysteme her. Hierbei bilden unteranderem quaternäre Kompositionen wie InGaAlAs oder InGaAsP eine wichtige Grundlage für komplizierte Bauelement-Heterostrukturen. Speziell für die letztgenannte quaternäre Materialkomposition ist ein Wachstumssystem mit Gasquellen für AsH3 und PH3 für die Gruppe-V Elemente die Methode der Wahl. Daher plant das Fraunhofer HHI die Anschaffung einer Gasquellen Molekularstrahlepitaxieanlage (engl. gas source molecular beam epitaxy, GSMBE). Die grundlegenden Anforderungen an solch eine GSMBE Anlage sind im Folgenden aufgeführt:
Das GSMBE System muss in der Lage sein hochgradig homogenes Wachstum auf Wafern mit Größen von bis zu 1x4 Zoll zu ermöglichen, sowie zusätzlich auf 1x3 Zoll und 3x2 Zoll Waferkonfigurationen. Das System muss aus einer Wachstumskammer mit mindestens 12 Zellflanschen für Verdampfer- und /oder Gasquellen bestehen. Die Wachstumskammer muss über LN2 gekühlte Kryopanele verfügen welche den Platenmanipulator sowie das Epitaxievolumen umschließen. Weiterhin muss das System über eine separate Präparations- und Aufbewahrungskammer sowie über eine separate Ladekammer verfügen, um das Einschleusen von Wafern in das Ultrahochvakuumsystem zu ermöglichen.
Die Quellen für die Gruppe III Komponenten sollen als Verdampferzellen für elementare Feststoffe ausgeführt sein. Für die Gruppe-V Komponenten sollen Gas-Zerlegungsquellen für AsH3 und PH3 dienen, welche über jeweils eine Baratronsteuerung pro Zuflusslinie verfügen.
Neben der Epitaxiekonfiguration soll das System zusätzlich über folgende in-situ Messtechnik verfügen: Ein RHEED Messsystem mit CCD Kamera und Computeraufzeichnung, ein Hintergrundgas-Massenspektrometer (residual gas analyzer), Druckmessgeräte für alle Kammern, ein beheiztes Pyrometriefenster sowie eine pneumatischen Verschlussklappe für selbiges.
Die Präparationskammer muss mit einer Ausheizstation zur thermischen Reinigung, einer Wasserstoff-Reinungsquelle für Waferoberflächen sowie einem entsprechenden Waferhandlingsystem ausgestattet sein.
Der Pumpenbereich für die Wachstumskammer soll aus einer Turbopumpe mit magnetischer Lagerung, einer bzgl. H2 Hochleistungskryopumpe, einer Ionengetterpumpe und einer Trockenläuferpumpe als Primärpumpe ausgestattet sein. Der Pumpenstrang soll zusätzlich über einen Kühlfinger mit LN2 verfügen. Die Pumpensysteme der Präparations-/Aufbewahrungskammer und Ladekammer sollen je aus einer Turbopumpe sowie einer ölfreien Scrollpumpe aufgebaut sein.
1 Stk.

CPV-Codes: 42990000

Erfüllungsort:
Berlin.

Verfahren & Unterlagen
Verfahrensart:
Verhandlungsverfahren

Dokumententyp:
Ausschreibung

Vergabeordnung:
Lieferauftrag

Org. Dok.-Nr:
312473-2015

Aktenzeichen:
E_124_222428_cl-bla

Vergabeunterlagen:
Bewerber unterliegen mit der Angebotsabgabe auch
den Bestimmungen über nichtberücksichtigte Angebote (VOL/A § 22 EG).
Die Nutzung der Plattform www.deutsche-evergabe.de ist kostenpflichtig.

Termine & Fristen
Angebotsfrist:
01.10.2015

Ausführungsfrist:
Laufzeit in Monaten: 8 (ab Auftragsvergabe)

Bedingungen & Nachweise
Zahlung:
Siehe Verdingungsunterlagen.

Zuschlagskriterien:
Wirtschaftlichstes Angebot

Geforderte Nachweise:
Persönliche Lage des Wirtschaftsteilnehmers
(1) Firmenprofil.

Wirtschaftliche und finanzielle Leistungsfähigkeit
(2) Umsätze der letzten 3 Geschäftsjahre
(3) Eigenerklärung über das ordnungsgemäße Abführen von Steuern und Sozialabgaben
(4) Eigenerklärung, dass kein Insolvenzverfahren in Eröffnung ist, eröffnet wurde oder mangels Masse abgelehnt wurde
(5) Eigenerklärung, dass nachweislich keine schweren Verfehlungen begangen wurden, die die Zuverlässigkeit als Bewerber in Frage stellen
(6) Auszug aus dem Gewerbezentralregister gemäß § 150a GewO (wird durch den Auftraggeber angefordert).

Technische Leistungsfähigkeit
(7) Komplette Referenzen (Kontaktdaten, Ansprechpartner) über erfolgreiche Installation und dem erfolgreichen Betrieb von MBE Systemen mit Gasquellen der Gruppe-V Komponenten, AsH3 und PH3, nachweisen
(8) Der Hersteller muss eine große Expertise im Bereich von MBE-Systemen für 4‘‘ Wafer insbesondere mit Gasquellen anhand einer dokumentierten Anwenderliste nachweisen können. Im Speziellen muss der Hersteller nachweislich in den letzten 10 Jahren mindestens 1 MBE Systeme mit Gasquellen für die Gruppe-V Komponenten auf Basis von Hydriden hergestellt und erfolgreich in Betrieb genommen haben.

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