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Ausschreibung - Industrielle Maschinen in Bonn (ID:10700677)

Übersicht
DTAD-ID:
10700677
Region:
53175 Bonn
Auftragsart:
Archiviertes Dokument
Europäische Ausschreibung
Europäische Ausschreibung
Dokumententyp:
Ausschreibung
Ausschreibung
Verfahrensart:
Verhandlungsverfahren
Kategorien:
Sonstige Maschinen, Geräte, Werkzeugmaschinen
CPV-Codes:
Industrielle Maschinen
Vergabeordnung:
Lieferauftrag (VOL)
Vergabe in Losen:
nein
Kurzbeschreibung:
1. Allgemeine Anforderungen: — RIE-ICP-Anlage als Komplettsystem inklusive aller zum bestimmungsgemäßen Betrieb benötigten Komponenten; — Die Anlage soll für kleine Substrate (Substratfläche im...
Termine und Fristen
DTAD-Veröffentlichung:
02.05.2015
Frist Angebotsabgabe:
28.05.2015
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Beteiligte Firmen & Vergabestellen
Vergabestelle:
Deutsche Forschungsgemeinschaft e. V., Zentrale Beschaffungsstelle
Kennedyallee 40
53175 Bonn
Herrn Boris Licker
Telefon: +49 2288852105
Fax: +49 2288853676
E-Mail: boris.licker@dfg.de
www.dfg.de

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Leistungsbeschreibung
Beschreibung:
Beschaffung einer Plasmaätzanlage (DFG-GZ: A 703).
1. Allgemeine Anforderungen:
— RIE-ICP-Anlage als Komplettsystem inklusive aller zum bestimmungsgemäßen Betrieb benötigten Komponenten;
— Die Anlage soll für kleine Substrate (Substratfläche im Bereich 1 x 1 cm2) optimiert sein und auch für Substrate bis 2“ Durchmesser geeignet sein;
— Die Anlage muss auch als RIE (ohne ICP) nutzbar sein;
— Die Anlage muss für die Verwendung von inerten, fluorhaltigen und chlorhaltigen Prozessgasen ausgelegt sein. Ein Wechsel zwischen fluorhaltigen und chlorhaltigen Gasen muss ohne Austausch oder Änderungen von Anlagenkomponenten jederzeit möglich sein;
— Die Homogenität der Ätzprozesse (Homogenität=([max]-[min])/(2[mittel])—100 %) auf einer Fläche mit einem Durchmesser von 2“ muss mindestens ±5 % oder besser betragen;
— Die Anlage muss für die Verwendung von metallischen, halbleitenden und isolierenden Proben geeignet sein;
— Der Arbeitsdruck muss mindestens im Bereich von 2—10-3 mbar bis 1—10-1 mbar einstellbar sein;
— Die Anlage soll prinzipiell clusterbar, d. h. erweiterbar sein. Zu diesem Zweck muss die Prozesskammer über mindestens einen zusätzlichen Flansch verfügen (genauere Spezifikation siehe 2. Vakuumanlage);
— Zusätzlich muss der Lieferant in der Lage sein (und dies auch dokumentieren) die in dieser Leistungsbeschreibung beschriebene Anlage nachträglich um mindestens zwei weitere (später zu beschaffende) Anlagen aus seinem Lieferprogramm zu einem Cluster zu erweitern. Bei den später zu beschaffenden Anlagen müssen mindestens folgende Technologien zur Auswahl stehen: PECVD (engl.: plasma-enhanced chemical vapour deposition, zu Deutsch „plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung“) und CAIBE (engl.: chemical assisted ion beam etching, zu Deutsch „chemisch unterstütztes Ionenstrahlätzen“). Im Resultat muss der vollautomatische Probentransfer aus einer Prozesskammer in weitere Prozesskammern ohne Unterbrechung des Vakuums möglich sein. Der Lieferant muss darlegen, dass er in seinem Lieferprogramm dazu geeignete und kompatible Transferkammern führt und über entsprechendes Knowhow verfügt. Die zusätzliche Transferkammer soll auch als Vakuumschleuse verwendet werden können. MESC-Kompatibilität (MESC = Modular Equipment Standards Committee) soll gegeben sein. Die für den Transfer benötigten Komponenten sollen optional angeboten werden (siehe 10. Optionen), die weiteren Anlagen sollen nicht angeboten werden;
— Die Anlage muss für die Verwendung in einem Reinraum konzipiert und geeignet sein.
2. Vakuumanlage (Prozesskammer)
— Material: Aluminium, aus einem vollen Aluminiumblock gefertigt, mit mindestens einem Sichtfenster zur Prozess-Beobachtung;
— Über ein VAT-Ventil mit einer Schleusenkammer (Vakuumschleuse) verbunden;
— Der Probentransfer aus der Schleusenkammer soll mittels Trägerwafer erfolgen. Der Durchmesser der Trägerwafer soll 4“ betragen;
— Basisdruck in der Prozesskammer unterhalb von 2 — 10-6 mbar;
— Um eine anwenderseitige Erweiterung der Anlage zu ermöglichen muss die Prozesskammer seitlich, auf der Höhe des Substrates, über mindestens einen zusätzlichen Flansch mit einer Größe von mindestens DN63 und maximal DN100 verfügen (der Flansch muss im Auslieferungszustand blindgeflanscht sein und für keinen sonstigen Verwendungszweck benötigt werden). Über diesen Flansch muss ein alternativer Probentransfer in die Kammer möglich sein (Transferkonzept nicht inkl.);
— Vollmagnetgelagerte Turbomolekularpumpe. Das Saugvermögen soll auf optimale Prozessbedingungen ausgelegt sein, mindestens aber 500 l/s (N2) betragen. Die Pumpe soll beheizt sein. Als Vorpumpe soll eine trockenverdichtende oder ölgedichtete (Fomblin) Vorpumpe mit einem Saugvermögen von mindestens 25 m3/h eingesetzt werden;
— Inklusive elektrischer Kammern- und Pumpstutzenheizung;
— Vakuummessung des Basisdruckes und des Vordruckes der Turbomolekularpumpe;
— Zusätzlich kapazitive Vakuummessung zur Prozess- bzw. Druckkontrolle über gesamten Arbeitsdruckbereich in der Prozesskammer;
— Automatisches VAT-Schmetterlingsventil zur Regelung der Pumpleistung;
— Vakuumkammer und Anlagenelektronik kompakt in ein Gestell integriert, evtl. vorhandene Verkleidungen sollen leicht zu Wartungszwecken entfernbar sein, Vorpumpen und Gasschränke können sich außerhalb des Gestells befinden;
— Die Anlage muss die nachträgliche Installation eines Endpunktdetektors (Interferometer) ermöglichen (siehe 10. Optionen).
3. Schleusenkammer
— Die Schleusenkammer aus Aluminium muss die vollautomatische Beladung der Anlage ohne Belüftung der Prozesskammer ermöglichen. Inklusive Vakuummessung und Sichtfenster;
— Basisdruck in der Schleusenkammer nach fünf Minuten pumpen unterhalb von 2 — 10-4 mbar;
— Turbomolekularpumpe mit einem Saugvermögen von mindestens 65 l/s (N2) und einer trockenverdichtenden Vorpumpe mit einem Sauvermögen von mindestens 13 m3/h.
4. RIE-Substrat-Elektrode
— RIE-Substrat-Elektrode mit einem Durchmesser von mindestens 160 mm;
— Die Substrat-Elektrode muss temperierbar sein. Erreichbare Elektrodentemperaturen müssen mindestens im Bereich von -150 °C bis +400 °C liegen. Die erreichbaren Elektrodentemperaturen müssen auch als Dauerbetrieb möglich sein;
— Die Elektrode soll mit flüssigem Stickstoff (LN2) oder mittels eines leistungsstarken Thermostaten temperiert werden können. Die Anlage muss ohne Verwendung von LN2 mindestens für Elektrodentemperaturen im Temperaturintervall von 0 °C bis +80 °C betrieben werden können. Die Temperatursteuerung muss über die Anlagensoftware erfolgen;
— Thermostat zur Temperierung der Substrat-Elektrode inklusive;
— Helium „backside cooling“ für die Substrate, inklusive evtl. benötigtem Klemmring für 4“- Trägerwafer. Der Heliumdruck soll als Parameter vorgegeben und gemessen werden und über die Variation des Flusses geregelt werden;
— HF-Frequenz: 13,56 MHz, HF-Leistung mindestens 300 W, mit automatischer HF-Abstimmung. Die Startpositionen der Kapazitäten der Abstimmungseinheit müssen zusätzlich auch als Prozessparameter vorgegeben werden können.
5. ICP-Quelle
— ICP-Quelle in helischer (zylindrischer) Bauform;
— Die ICP-Quelle muss über ein entnehmbares elektrostatisches Schild verfügen;
— Der ICP-Quellendurchmesser soll für die unter 1. Allgemeine Anforderungen spezifizierten Substratgrößen ausreichend groß gewählt werden, mindestens aber 65 mm betragen;
— Die ICP-Quelle muss ebenso wie alle anderen Komponenten der Anlage für die Verwendung von inerten, fluorhaltigen und chlorhaltigen Prozessgasen geeignet sein;
— HF-Frequenz: 13,56 MHz, mit automatischer HF-Abstimmung. Die Startpositionen der Kapazitäten der Abstimmungseinheit müssen zusätzlich auch als Prozessparameter vorgegeben werden können;
— HF-Leistung muss ausreichen um eine Plasmadichte von mindestens 5—10^11 1/cm3 zu erreichen;
— Beim Prozess muss die Vorgabe der Bias-Spannung möglich sein.
6. Gasversorgung
— Spülbarer und abdichtbarer Gasschrank, ausgelegt für insgesamt mindestens 12 Gaslinien, davon mindestens 7 Gaslinien installiert, weitere Gaslinien müssen nachgerüstet werden können, Gaslinien elektropoliert und orbitalgeschweißt;
— Im Gasschrank sollen die einzelnen Gasleitungen zusammengeführt werden. Die Gaszufuhr zur Prozesskammer soll durch eine gemeinsame Versorgungsleitung erfolgen, inkl. Eingangs-Partikelfilter;
— Die einzelnen Gaslinien sollen durch gesteuerte Ventile unterbrochen sein und der Gasfluss durch kalibrierte MKS-Massenflussregler (MFC) geregelt werden (N2, O2, H2, CF4, CHF3, Ar, Cl2);
— Mindestens zwei installierte Gaslinien müssen über einen metallgedichteten MFC sowie einen Bypass (für korrosive oder toxische Gase) verfügen;
— Gasverteilung aus Edelstahl mit VCR-Verschraubungen im Gasschrank.
7. Anlagensteuerung
— Die Anlage muss mittels Software über einen handelsüblichen PC gesteuert werden (Betriebssystem Windows 7 oder aktuelle Linux Version). Ein PC zur Anlagensteuerung mit allen benötigten Komponenten ist inklusive;
— Die Anlagensoftware muss die Erstellung und das Ablaufen von Rezepten ermöglichen. Außerdem muss sie den vollständig automatisierten Prozessablauf (inkl. Probentransfer) und ebenso die manuelle Kontrolle der Anlage ermöglichen;
— Über die Software sollen relevante Prozessgrößen (Ist-Werte), wie beispielsweise Gasflüsse, self-bias, HF-Leistungen, reflektierte Leistung, Prozessdruck und Elektrodentemperatur, während des Prozesses zugänglich sein und der zeitliche Verlauf als Textdatei (z. B. im csv-Format) abgespeichert werden können („datalogging“);
— Die Software soll es ermöglichen bei aktiviertem Plasma Prozessgrößen manuell zu ändern.
8. Lieferung und Inbetriebnahme
— Lieferung inkl. Verpackung, Versicherung und Transport sowie sämtliche anfallende Gebühren und Kosten (Lieferung frei Verwendungsstelle);
— Inbetriebnahme am Bestimmungsort und Einweisung von späteren Anlagenbenutzern.
9. Sonstiges
— Handbücher in Papierform oder auf einem Datenträger in deutscher oder englischer Sprache (inklusive der Handbücher für verbaute Komponenten von Zulieferfirmen);
— Garantierte verfügbare Betriebszeit der Anlage mindestens 95 %;
— Kostenlose Unterstützung bei der Prozessentwicklung über die gesamte Lebensdauer der Anlage.
— Inklusive Diamantätzprozessen für die Erzeugung von freistehenden Nanostrukturen mit Durchmessern von 200 nm und einer Höhe von 2 μm, sowie zur Erzeugung von glatten Membranen von wenigen μm Dicke, ausgehend von einem 50 μm dicken Diamant-Einkristall;
— Die Anlage soll die CE-Kennzeichnung tragen;
— Ersatzteilverfügbarkeit für mindestens 10 Jahre muss garantiert werden;
— Der Anbieter muss nach EN ISO 9001:2008 zertifiziert sein;
— Für das beschriebene Komplettsystem soll ein Paketpreis inkl. MwSt. angeboten werden, Optionen (siehe 10. Optionen) sollen zusätzlich aufgeführt werden. Zusatzkosten durch die Optionen sollen nicht in den Paketpreis eingerechnet werden.
10. Optionen
Folgende Positionen sollen optional angeboten werden:
— Endpunktdetektor mit laserinterferometrischem Messprinzip. Der Detektor muss auch später ohne Austausch von Anlagenkomponenten nachgerüstet werden können, die Steuerung muss über die Anlagensoftware erfolgen. Der Laserpunkt muss auf der Probe an eine gewünschte Stelle positioniert werden können. Die Endpunktkontrolle muss sowohl manuell als auch automatisch erfolgen können.
— Die Transferkammer inkl. aller benötigten Komponenten um einen vollautomatischen Probentransfer zwischen den Prozesskammern des unter 1. Allgemeine Anforderungen beschriebenen Clustersystems aus mindestens drei Anlagen zu realisieren.
— LN2-Dewar (Fassungsvermögen 100 l) für den Betrieb der Anlage mit flüssigem Stickstoff.
1 System.

CPV-Codes: 42000000

Erfüllungsort:
Universität Würzburg.
Nuts-Code: DE26C

Verfahren & Unterlagen
Verfahrensart:
Verhandlungsverfahren

Dokumententyp:
Ausschreibung

Vergabeordnung:
Lieferauftrag

Org. Dok.-Nr:
151571-2015

Aktenzeichen:
MO 771/21-1 (A 703)

Vergabeunterlagen:
Das Aktenzeichen entsprechend Ziff. IV.3.1) ist bei sämtlicher Korrespondenz anzugeben.
Beim Schlusstermin laut Ziff. IV.3.4) handelt es sich um den Schlusstermin für den Eingang der Teilnahmeanträge (nicht für den Eingang der Angebote). Vor Ablauf des Schlusstermins gemäß Ziff. IV.3.4) werden keine Verdingungsunterlagen versendet.

Termine & Fristen
Angebotsfrist:
28.05.2015

Bedingungen & Nachweise
Zahlung:
Anzahlungen bis zur Höhe von max. 50 % des Kaufpreises werden nur gegen unbefristete Bankbürgschaft nach deutschem Recht geleistet.

Zuschlagskriterien:
Wirtschaftlichstes Angebot

Bitte beachten Sie: Die Darstellung des Dokumentes auf dieser Seite wurde angepasst. Die ursprüngliche Version finden Sie hier.
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